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FGY75T120SQDN 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGY75T120SQDNFGY75T120SQDN參考圖片

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  • 廠家型號：

    FGY75T120SQDN

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    70000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    2024+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2024-12-26 14:06:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：FGY75T120SQDN品牌：ON

柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)

FGY75T120SQDN是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3 變式的FGY75T120SQDN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGY75T120SQDN

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    559.08 kb

  • 資料說明：

    Ultra Field Stop IGBT, 1200 V, 75 A

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGY75T120SQDN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.95V @ 15V，75A

  • 開關(guān)能量：

    6.25mJ（開），1.96mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    64ns/332ns

  • 測試條件：

    600V，75A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 75A UFS

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    連小若

  • 手機：

    18922805453

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83663056

  • 傳真：

    0755-83209937

  • 地址：

    福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓

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