首頁(yè)>FGY75T120SQDN>芯片詳情

FGY75T120SQDN 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 原裝

FGY75T120SQDN

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    FGY75T120SQDN

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    原裝

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    37775

  • 產(chǎn)品封裝：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-29 14:13:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FGY75T120SQDN品牌：原裝

熱賣原裝進(jìn)口

  • 芯片型號(hào)：

    FGY75T120SQDN

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    559.08 kb

  • 資料說明：

    Ultra Field Stop IGBT, 1200 V, 75 A

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGY75T120SQDN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.95V @ 15V，75A

  • 開關(guān)能量：

    6.25mJ（開），1.96mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    64ns/332ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，75A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 75A UFS

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號(hào)

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場(chǎng)54層5406-5406B

相近型號(hào)