首頁(yè)>FGY75T120SQDN>規(guī)格書(shū)詳情

FGY75T120SQDN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

FGY75T120SQDN
廠商型號(hào)

FGY75T120SQDN

參數(shù)屬性

FGY75T120SQDN 封裝/外殼為T(mén)O-247-3 變式;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 75A UFS

功能描述

Ultra Field Stop IGBT, 1200 V, 75 A
IGBT 1200V 75A UFS

文件大小

559.08 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-28 23:00:00

FGY75T120SQDN規(guī)格書(shū)詳情

FGY75T120SQDN屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGY75T120SQDN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

General Description

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and

cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides

superior performance in demanding switching applications, offering

both low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is

well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the

device is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low

forward voltage.

Features

? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.7 V (Typ.) @ IC = 75 A

? 100% of the Parts Tested for ILM(1)

? Soft Fast Reverse Recovery Diode

? Optimized for High Speed Switching

? RoHS Compliant

Applications

? Solar Inverter, UPS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGY75T120SQDN

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,75A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    6.25mJ(開(kāi)),1.96mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    64ns/332ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,75A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 75A UFS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
TO-247
17048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
詢(xún)價(jià)
ON
20+
TO-247
2000
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
詢(xún)價(jià)
ONSEMI/安森美
24+
TO-247
22000
原裝現(xiàn)貨,假一罰十
詢(xún)價(jià)
ON
22+
NA
30000
原裝正品支持實(shí)單
詢(xún)價(jià)
ON
24+
TO-247
30000
"芯達(dá)集團(tuán)"專(zhuān)營(yíng)軍工、宇航級(jí)IC原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢(xún)價(jià)
ON/安森美
23+
TO-247
21316
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
詢(xún)價(jià)
onsemi/安森美
新批次
TO-247
4500
詢(xún)價(jià)
原裝
24+
標(biāo)準(zhǔn)
37775
熱賣(mài)原裝進(jìn)口
詢(xún)價(jià)
ON
24+
TO-247
15000
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低
詢(xún)價(jià)
onsemi
24+
TO-247-3
3088
只做原裝正品,專(zhuān)注終端BOM表整單供應(yīng)
詢(xún)價(jià)