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FH105A-TR-E分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

FH105A-TR-E
廠商型號

FH105A-TR-E
參數屬性

FH105A-TR-E 封裝/外殼為6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP
功能描述

RF Transistor 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Dual MCP6
RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP
封裝外殼

6-TSSOP，SC-88，SOT-363
文件大小

479.86 Kbytes
頁面數量

8 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-28 17:45:00

FH105A-TR-E規(guī)格書詳情

FH105A-TR-E屬于分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由安森美半導體公司制造生產的FH105A-TR-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

Features

? Composite type with 2 transistors contained in the MCP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly

? The FH105A is formed with two chips, being equivalent to the 2SC5245A, placed in one package

? Optimal for differential amplification due to excellent thermal equilibrium and pair capability

產品屬性

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  • 產品編號：

    FH105A-TR-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.4dB @ 1.5GHz

  • 增益：

    10dB @ 1.5GHz

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    0.95 @ 10mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應商器件封裝：

    6-MCP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP

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