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FHP20N50

20N50isanN-channelenhancementmodehighvoltagepowerMOSfield

Features 20A,500V,RDS(on)=0.2Ω(typ)@VGS=10V LowCharge,LowReverseTransferCapacitance Fastswitchingspeed

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

FIR20N50AFG

500VN-ChannelMOSFET-T

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FIR20N50ANG

AdvancedN-ChPowerMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FIR20N50FG

AdvancedN-ChPowerMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FMC20N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMC20N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.31Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMC20N50ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.31Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMC20N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMH20N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMH20N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FMH20N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMI20N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMI20N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FML20N50

20Amps500VoltageNChannelMOSFET

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

FML20N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(4.2±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMP20N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMP20N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(4.2±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV20N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMV20N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FSW20N50C

THINKISEMI16A,500VN-CHANNELPLANARSTRIPEPOWERMOSFETs

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FeiHong(飛虹)
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更多FHA20N50A供應商 更新時間2025-1-3 15:00:00

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