曰本人妻中出不卡视频,最新国产成年人小视频

首頁(yè) >FJV4105MTF>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
FJV4105R	文件：88.85 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=4.7K?,R2=10K?) ?ComplementtoFJV3105R	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FKS4105	文件：537.34 Kbytes Page：4 Pages	40VP-ChannelMOSFET Features ?AdvancedTrenchMOSTechnology ?LowGateCharge ?100EASGuaranteed ?GreenDeviceAvailable Applications ?LoadSwitches ?HardSwitchingandHighSpeedCircuit	FETEKFETek Technology Corp. 臺(tái)灣東沅東沅科技股份有限公司	FETEK
HO-NP-4105	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
HO-P-4105	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
IIRFR4105	文件：334.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFR4105Z	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤24.5m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFL4105	文件：168.77 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=3.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105	文件：827.7 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpickand-placeaswithotherSOTorSOICpackagesbuthastheaddedadvantageofimprovedthermalperformanceduetoanenla	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL4105	文件：577.74 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelIRFL4105 GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementThisvery highdensityprocessisespeciallytailoredto minimizeon-stateresistanceandprovide superior switchingperformance,andwithstandhigh energypulse intheavalancheandcommutation modes. Thesedevicesareparticula	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFL4105PBF	文件：158.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL4105PBF	文件：498.91 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105TRPBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR4105	文件：144.58 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=27A??	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105	文件：334.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR4105	文件：3.74603 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105	文件：490.14 Kbytes Page：7 Pages	55VN-ChannelMOSFET Description UltraLowOn-Resistance FastSwitching FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=50V ID=27A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR4105PBF	文件：240.03 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105PBF	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF

12 3 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FJV4105MTF	ON/安森美	23+	SOT-23	190000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	FJV4105-NL	FAIRCHILD	23+	SOT-23	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	FJV4105R	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FJV4105RMTF	FAIRCHILD/FSC/仙童飛兆半	24+	SOT-23	45200	新進(jìn)庫(kù)存/原裝	詢價(jià)
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	FJV4105RMTF	ON/安森美	22+	SOT-23	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FJV4105RMTF	ON/安森美	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	FJV4105RMTF	ON/安森美	2022	SOT-23	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	FJV4105RMTF		FAIRCHILD	SOT-23SC-59	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FJV4105RMTF	ON/安森美	20+	SOT-23	120000	只做原裝可免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	FJV4105RMTF	ON Semiconductor	2022+	SOT-23-3(TO-236)	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)

更多FJV4105MTF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 11:09:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫(kù)存