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HO-NP-4105	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
HO-P-4105	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
IIRFR4105	文件：334.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFR4105Z	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤24.5m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFL4105	文件：168.77 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=3.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105	文件：827.7 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpickand-placeaswithotherSOTorSOICpackagesbuthastheaddedadvantageofimprovedthermalperformanceduetoanenla	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL4105	文件：577.74 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelIRFL4105 GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementThisvery highdensityprocessisespeciallytailoredto minimizeon-stateresistanceandprovide superior switchingperformance,andwithstandhigh energypulse intheavalancheandcommutation modes. Thesedevicesareparticula	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFL4105PBF	文件：158.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL4105PBF	文件：498.91 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105TRPBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR4105	文件：144.58 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=27A??	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105	文件：334.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR4105	文件：3.74603 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105	文件：490.14 Kbytes Page：7 Pages	55VN-ChannelMOSFET Description UltraLowOn-Resistance FastSwitching FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=50V ID=27A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR4105PBF	文件：240.03 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105PBF	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105PBF	文件：3.84606 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105PBF	文件：3.84791 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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更多FL4105供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 16:38:00

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