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ICE22N60	文件：604.35 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
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ICE22N60W	文件：959.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
IRF22N60	文件：383.33 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
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IRFP22N60K	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?EnhancedBodyDiodedV/dtCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60K	文件：172.39 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ?HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch ?SwitchM	IRF International Rectifier	IRF
IRFP22N60K	文件：228.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EnhancedbodydiodedV/dtcapability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60KPBF	文件：150.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive ??Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt ??Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage ??andCurrent ?EnhancedBodyDiodedV/dtCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP22N60KPBF	文件：175.95 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EnhancedBodyDiodedv/dtCapability Applications ?HardSwitchingPrimaryorPFSSwitch ?SwitchM	IRF International Rectifier	IRF
IXFC22N60P	文件：237.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC22N60P	文件：323.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IXFH22N60P	文件：336.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP22N60	文件：295.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=360mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFQ22N60	文件：311.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=390mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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更多FMY22N60ESF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-16 16:24:00

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