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FP10R12W1T3_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A華博特電子
- 詳細(xì)信息
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產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FP10R12W1T3
- 功能描述:
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 16A
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
600 V
- 集電極—射極飽和電壓:
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
230 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作溫度:
+ 125 C
- 封裝/箱體:
34MM
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市華博特電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
代理商
- 手機(jī):
13632684063
- 詢價:
- 電話:
13632684063
- 地址:
深圳市福田區(qū)振中路與中航路交匯處新亞洲國利大廈1202
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