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FPT630

MiniatureCeramicSiliconPhototransistors

GeneralDescription TheFPT610andFPT630areminiature phototransistorswithexceptionallystable characteristics.Theyutilizeaceramiccasewith transparentresinencapsulation.Thespectral response,extendingfrom400to1100nm,is compatiblewithdaylight,tungstenandgallium arsen

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQB630

200VN-ChannelMOSFET

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD630

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD630

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD630TF

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=200V,ID=8A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FQD630TM

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD630TM

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=200V,ID=8A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FQI630

200VN-ChannelMOSFET

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

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FQP630

200VN-ChannelMOSFET

Features ?9A,200V,RDS(on)=0.4?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical19nC) ?LowCrss(typical35pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

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FQP630

200VN-ChannelMOSFET

Features ?9A,200V,RDS(on)=0.4?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical19nC) ?LowCrss(typical35pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

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FQP630TSTU

200VN-ChannelMOSFET

Features ?9A,200V,RDS(on)=0.4?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical19nC) ?LowCrss(typical35pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

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FQPF630

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan

FairchildFairchild Semiconductor

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FQU630

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

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FQU630

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQU630

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

G630

MicroprocessorResetIC

GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc

致新科技

GBP-A.630

5.2?x20mm

CONQUER

Conquer Electronics Co., Ltd.

GDA-630mA

GDASeries,Fast-Acting,CeramicTube

COOPER

COOPER

GDA-630mA

5mmx20mmFast-actingceramictubefuses

EATONEaton All Rights Reserved.

伊頓伊頓公司

GDB-630mA

5mmx20mmFast-actingglasstubefuses

EATONEaton All Rights Reserved.

伊頓伊頓公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FPN630A_Q

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD
05+
原廠原裝
8716
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
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一級代理/放心采購
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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正品原裝貨價格低qq:2987726803
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TO-226-3 TO-92-3 長體
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TO-92L
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原包裝原封□□
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更多FPN630A_Q供應商 更新時間2025-1-3 16:11:00