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IXFP10N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFP10N80P

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFP10N80P

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFP10N80P

PolarHVHiPerFETPowerMOSFET

PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati

IXYS

IXYS Corporation

IXFQ10N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFQ10N80P

PolarHVHiPerFETPowerMOSFET

PolarHV?HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati

IXYS

IXYS Corporation

IXFQ10N80P

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

JCS10N80C

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS10N80FC-F-B

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS10N80FC-F-BR

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS ?Switchedmodepower suppliesy ?Electronicballast FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical8.6pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FQA10N80C

  • 功能描述：

    MOSFET 800V N-Ch advance QFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
模塊
6000
美國德州儀器TEXASINSTRUMENTS原廠代理輝華拓展內(nèi)地現(xiàn)
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TO-3P
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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TO-247
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實力現(xiàn)貨,隨便驗!
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TO-3P
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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主營MOS管，一級代理仙童，現(xiàn)貨供應FQA10N80C，全新原裝正品，大量現(xiàn)貨庫存熱賣。
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TO-3P
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FAIRCHILD
2020+
TO-3P
210000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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更多FQA10N80C供應商 更新時間2025-3-14 15:08:00

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