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FQD4N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQD4N20

N-ChannelQFETMOSFET200V,3.0A,1.4

Features ?3.0A,200V,RDS(on)=1.4?(Max.)@VGS=10V ?Lowgatecharge(Typ.5.0nC) ?LowCrss(Typ.5.0pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD4N20

200VN-ChannelMOSFET

Features ?3.0A,200V,RDS(on)=1.4?(Max.)@VGS=10V ?Lowgatecharge(Typ.5.0nC) ?LowCrss(Typ.5.0pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD4N20L

200VLOGICN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD4N20L

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD4N20LTF

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD4N20TF

N-ChannelQFETMOSFET200V,3.0A,1.4

Features ?3.0A,200V,RDS(on)=1.4?(Max.)@VGS=10V ?Lowgatecharge(Typ.5.0nC) ?LowCrss(Typ.5.0pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI4N20

200VN-ChannelMOSFET

Features ?3.6A,200V,RDS(on)=1.4?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical5.0nC) ?LowCrss(typical5.0pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI4N20L

200VLOGICN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?3.8A,200V,RDS(on)=1.35?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical4.0nC) ?LowCrss(typical6.0pF) ?Fastswit

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQP4N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    FQB4N20TM

  • 功能描述：

    MOSFET 200V N-Channel QFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
TO-263
8357
支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
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10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應,歡迎來電咨詢
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一級代理商進口原裝現貨、價格合理
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原包裝原封 □□
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原裝進口特價供應 QQ 1304306553 更多詳細咨詢 庫存
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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33500
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FAIRCHILD/仙童
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更多FQB4N20TM供應商 更新時間2025-2-2 10:22:00

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