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FQD11P06中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQD11P06
廠商型號(hào)

FQD11P06

功能描述

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件大小

353.73 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

FQD11P06規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current –ID=-9.4A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= -60V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.185Ω(Max) @ VGS= -10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·Designed for use in switch mode power supplies and general

purpose applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQD11P06

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述:

    MOSFET P D-PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
23+
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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只做原裝正品
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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