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FQD2N90TM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD2N90TM
廠商型號

FQD2N90TM

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET

文件大小

1.29789 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-22 23:00:00

FQD2N90TM規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 1.7 A, 900 V, RDS(on) = 7.2 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.85 A

? Low Gate Charge (Typ. 12 nC)

? Low Crss (Typ. 5.5 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQD2N90TM

  • 功能描述:

    MOSFET 900V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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