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FQP4N90	文件：648.23 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP4N90	文件：302.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP4N90C	文件：306.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQP4N90C	文件：920.84 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP4N90C	文件：899.03 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF4N90	文件：621.35 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF4N90C	文件：307.99 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQPF4N90C	文件：899.03 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF4N90C	文件：920.84 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF4N90CT	文件：920.84 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HFP4N90	文件：208.66 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS4N90	文件：197.47 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HM4N90I	文件：422.69 Kbytes Page：9 Pages	Powerswitchcircuitofadaptorandcharger	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
JCS4N90A	文件：1.04264 Mbytes Page：13 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitchmode powersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?PlanarMOS ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical15pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N90CA-C-B	文件：1.04264 Mbytes Page：13 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitchmode powersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?PlanarMOS ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical15pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N90CA-C-BR	文件：1.04264 Mbytes Page：13 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitchmode powersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?PlanarMOS ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical15pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N90RA-R-A	文件：1.04264 Mbytes Page：13 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitchmode powersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?PlanarMOS ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical15pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N90RA-R-AR	文件：1.04264 Mbytes Page：13 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitchmode powersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?PlanarMOS ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical15pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N90RA-R-B	文件：1.04264 Mbytes Page：13 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitchmode powersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?PlanarMOS ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical15pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS4N90RA-R-BR	文件：1.04264 Mbytes Page：13 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitchmode powersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?LEDpowersupplies FEATURES ?PlanarMOS ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical15pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQI4N90TU
功能描述：
MOSFET 900V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	FQI4N90TU	FAIRCHILD/仙童	24+	TO262	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FQI4N90TU	onsemi	24+	I2PAK(TO-262)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQI4N90TU	onsemi(安森美)	23+	I2PAK(TO-262)	8498	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQI4N90TU	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	FQI4N90TU	FAIRCHILD	22+23+	TO262	8390	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	FQI4N90TU		三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市歐亞佳電子有限公司	FQI4N90TU	ON	20+	SMD	11520	特價(jià)全新原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	FQI4N90TU	ON/安森美	24+	SMD	1000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	FQI4N90TU	FAIRCHILD	2023+	TO262	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	FQI4N90TU	FAIRCHILD	20+	TO262	9860	原裝現(xiàn)貨/放心購買	詢價(jià)

更多FQI4N90TU供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 16:36:00

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