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FQP10N60C中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQP10N60C
廠商型號(hào)

FQP10N60C

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

1.026619 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 23:00:00

FQP10N60C規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Corise Semiconductor?s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.

Features

? 9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 44 nC)

? Low Crss ( typical 18 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQP10N60C

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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FAIRCHILD/仙童
22+
TO-220
9000
原裝正品
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FAIRCHILD/仙童
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詢價(jià)