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FQP13N10L中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FQP13N10L
廠商型號(hào)

FQP13N10L

功能描述

100V LOGIC N-Channel MOSFET

文件大小

554.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-31 23:00:00

FQP13N10L規(guī)格書(shū)詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are well suited for low voltage applications such as high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.

Features

? 12.8A, 100V, RDS(on) = 0.18? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 8.7 nC)

? Low Crss ( typical 20 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? 175°C maximum junction temperature rating

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQP13N10L

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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