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FSW20N50C	文件：1.38793 Mbytes Page：7 Pages	THINKISEMI16A,500VN-CHANNELPLANARSTRIPEPOWERMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
FTW20N50A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
G20N50C	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
HFA20N50U	文件：337.05 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFH20N50	文件：635.97 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergy	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
HM20N50A	文件：792 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM20N50F	文件：868.91 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HRH20N50ANB	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH20N50ANF	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH20N50ANV	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH20N50ANW	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
HRH20N50ANX	文件：2.65431 Mbytes Page：11 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.17Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73.4nC) LowCrss(typical4.8pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
I20N50	文件：1.53702 Mbytes Page：11 Pages	20A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
IRFB20N50K	文件：3.3763 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB20N50K	文件：334.78 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB20N50K	文件：858.46 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB20N50K	文件：115.08 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharac	IRF International Rectifier	IRF
IRFB20N50K	文件：195.75 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB20N50K	文件：204.02 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalanche,anddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?LowRDS(on) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/d	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB20N50K	文件：371.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FQP20N50C	DIODES/美臺(tái)	23+	TO-220AB	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
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更多FQP20N50C供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 11:00:00

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