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FQP8N80C_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series中天科工一部
- 詳細(xì)信息
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產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FQP8N80C
- 功能描述:
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
相近型號
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- FQP7P06
- FQPF10N20C
- FQP7N80C
- FQPF10N50CF
- FQP7N40
- FQP7N20
- FQPF10N60C
- FQPF11N40C
- FQP7N10
- FQPF11N50CF
- FQP70N10
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- FQPF12N60C
- FQP6N80C
- FQP6N80
- FQPF12N80
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- FQP6N40CF
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- FQPF13N50C
- FQPF13N50CF
- FQP65N06
- FQP5N60C
- FQPF13N60C
- FQP5N50C
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- FQPF15N65C
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