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FQPF12P20	文件：631.15 Kbytes Page：8 Pages	200V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF12P20	文件：636.63 Kbytes Page：8 Pages	200V P-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF12P20YDTU	文件：636.63 Kbytes Page：8 Pages	200V P-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQA12P20	文件：317.72 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.47Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQA12P20	文件：628.95 Kbytes Page：8 Pages	200VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQAF12P20	文件：615.01 Kbytes Page：8 Pages	200VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB12P20	文件：632.86 Kbytes Page：9 Pages	200VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB12P20	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	200VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB12P20	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	FQB12P20/FQI12P20200VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB12P20TM	文件：287.43 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.47Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQB12P20TM	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	FQB12P20/FQI12P20200VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI12P20	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	200VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI12P20	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	FQB12P20/FQI12P20200VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI12P20	文件：632.86 Kbytes Page：9 Pages	200VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP12P20	文件：759.94 Kbytes Page：8 Pages	200VP-ChannelMOSFET 200VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KQB12P20	文件：63.88 Kbytes Page：2 Pages	200VP-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
KSM12P20	文件：2.04155 Mbytes Page：7 Pages	200VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NDT12P20	文件：1.025099 Mbytes Page：3 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
ZXT12P20DX	文件：255.61 Kbytes Page：6 Pages	DUAL20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES ?ExtremelyLowEquival	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXT12P20DXTA	文件：255.61 Kbytes Page：6 Pages	DUAL20VPNPSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES ?ExtremelyLowEquival	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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詳細參數(shù)

型號：
FQPF12P20
功能描述：
MOSFET 200V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多FQPF12P20供應(yīng)商更新時間2024-12-22 9:16:00

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