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FQPF6N80C_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series納睿斯電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FQPF6N80C
- 功能描述:
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
相近型號
- FQPF6N50
- FQPF6N90CT
- FQPF6N40CT
- FQPF6N40CF
- FQPF6P25
- FQPF6N40C
- FQPF70N10
- FQPF6N25
- FQPF7N10
- FQPF65N06
- FQPF7N20
- FQPF5P20RDTU
- FQPF7N20L
- FQPF5P20
- FQPF7N40
- FQPF5P10
- FQPF7N60
- FQPF5N90C
- FQPF7N60C
- FQPF5N90
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- FQPF5N80
- FQPF7N65CYDTU
- FQPF5N60CYDTU
- FQPF7N80
- FQPF5N60C
- FQPF7N80C
- FQPF5N60
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- FQPF5N50CYDTU
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- FQPF5N50C
- FQPF7P06
- FQPF5N50
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- FQPF85N06
- FQPF5N20L
- FQPF5N15
- FQPF8N60
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- FQPF8N80C
- FQPF4N90CT
- FQPF8N80CYDTU
- FQPF4N90C
- FQPF8N90C
- FQPF4N90