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FQPF6N80C_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series中遠(yuǎn)芯科技

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  • 廠家型號(hào)：

    FQPF6N80C

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    10000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO220

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2236+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-2 9:20:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FQPF6N80C品牌：ONSEMI/安森美

原裝現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 芯片型號(hào)：

    FQPF6N80C

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1018.14 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 廓

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FQPF6N80C

  • 功能描述：

    MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中遠(yuǎn)芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    龐小姐

  • 手機(jī)：

    18923863610

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82535237

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界深圳二號(hào)店5樓H5C020

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