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FS05MR12A6MA1BBPSA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-陣列-英飛凌

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原廠料號：FS05MR12A6MA1BBPSA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD

FS05MR12A6MA1BBPSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝模塊的FS05MR12A6MA1BBPSA1晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

  • 芯片型號：

    fs05mr12a6ma1bbpsa1

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FS05MR12A6MA1BBPSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

  • 系列：

    HybridPACK?

  • 包裝：

    管件

  • FET 功能：

    碳化硅（SiC）

  • 漏源電壓（Vdss）：

    1200V（1.2kV）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    200A

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    AG-HYBRIDD-2

  • 描述：

    HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
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AG-HYBRIDD-2
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Infineon Technologies
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