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MCB40P1200LB-TRR_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-陣列-IXYS

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原廠料號(hào)：MCB40P1200LB-TRR品牌：IXYS

資料說(shuō)明：MCB40P1200LB-TRR

MCB40P1200LB-TRR是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝9-PowerSMD的MCB40P1200LB-TRR晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說(shuō)，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

  • 芯片型號(hào)：

    mcb40p1200lb-trr

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說(shuō)明：

    MCB40P1200LB-TRR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MCB40P1200LB-TRR

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

  • 系列：

    MCB40P1200LB

  • 包裝：

    托盤

  • FET 類型：

    2 N 溝道（雙）共源

  • FET 功能：

    碳化硅（SiC）

  • 漏源電壓（Vdss）：

    1200V（1.2kV）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    58A

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    9-PowerSMD

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    9-SMPD-B

  • 描述：

    MCB40P1200LB-TRR

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