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GI3303	文件：286.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
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GPD-3303D	文件：2.9856 Mbytes Page：2 Pages	MULTIPLEOUTPUTPROGRAMMABLELINEARD.C.POWERSUPPLY FEATURES 2,3,and4IndependentsolatedOutput 4LEDDisplaySets:3DigitsAfter DecimalPoint(GPD-23035/33035/43035) MinimumResolution: ‘GPD-23035/33035/43035(1mV/1mA) ‘GPD-3303D(100mV/10mA) DigitalPanelControl(RotaryEncoder Switch,RubberKeyWithIndicator) *User-frien	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固緯電子固緯電子實(shí)業(yè)股份有限公司	GWINSTEK
GPD3303S	文件：2.9856 Mbytes Page：2 Pages	MULTIPLEOUTPUTPROGRAMMABLELINEARD.C.POWERSUPPLY FEATURES 2,3,and4IndependentsolatedOutput 4LEDDisplaySets:3DigitsAfter DecimalPoint(GPD-23035/33035/43035) MinimumResolution: ‘GPD-23035/33035/43035(1mV/1mA) ‘GPD-3303D(100mV/10mA) DigitalPanelControl(RotaryEncoder Switch,RubberKeyWithIndicator) *User-frien	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固緯電子固緯電子實(shí)業(yè)股份有限公司	GWINSTEK
GPS-3303	文件：142.09 Kbytes Page：1 Pages	195WATTLINEAR	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
GPS-3303	文件：127.58 Kbytes Page：1 Pages	MULTIPLEOUTPUTLINEARD.C.POWERSUPPLY	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固緯電子固緯電子實(shí)業(yè)股份有限公司	GWINSTEK
IIRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRFR/U3303	文件：1.89695 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR/U3303PBF	文件：3.84104 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303	文件：112.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3303	文件：1.89695 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR3303PBF	文件：3.84104 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3303PBF	文件：3.86139 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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更多FTS3303供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 22:58:00

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