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FXL6408UMX	文件：805.83 Kbytes Page：17 Pages	Fully Configurable 8-Bit I2C-Controlled GPIO Expander	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FXL6408UMX	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：16-UFQFN 類別：集成電路（IC） I/O 擴展器描述：IC GPIO EXPANDER I2C 8B 16-UMLP	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
HD-6408	文件：57.95 Kbytes Page：11 Pages	CMOSAsynchronousSerialManchesterAdapter(ASMA) TheHD-6408isaCMOS/LSIManchesterEncoder/Decoderforcreatingaveryhighspeedasynchronousserialdatabus.TheEncoderconvertsserialNRZdata(typicallyfromashiftregister)toManchesterIIencodeddata,addingasyncpulseandparitybit.TheDecoderrecognizesthissyncpulseandide	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HD-6408	文件：237.66 Kbytes Page：11 Pages	CMOSAsynchronousSerialManchesterAdapter(ASMA)	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HD-6408	文件：507.83 Kbytes Page：12 Pages	CMOSAsynchronousSerialManchesterAdapter(ASMA) TheHD-6408isaCMOS/LSIManchesterEncoder/Decoderforcreatingaveryhighspeedasynchronousserialdatabus.TheEncoderconvertsserialNRZdata(typicallyfromashiftregister)toManchesterIIencodeddata,addingasyncpulseandparitybit.TheDecoderrecognizesthissyncpulseandide	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HD-6408	文件：232.81 Kbytes Page：12 Pages	CMOSAsynchronousSerialManchesterAdapter TheHD-6408isaCMOS/LSIManchesterEncoder/Decoder forcreatingaveryhighspeedasynchronousserialdatabus. TheEncoderconvertsserialNRZdata(typicallyfromashift register)toManchesterIIencodeddata,addingasyncpulse andparitybit.TheDecoderrecognizesthissyncpulseand	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HM6408	文件：1.1278 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheHM6408usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasabatteryprotectionorinotherswitchingapplication. Features ●VDS=20V,ID=5.5A RDS(ON)	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HX6408	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408-EFM	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408-EFN	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408-EHM	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408-EHN	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408-ENM	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408-ENN	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408-ERM	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408-ERN	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408KEFM	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408KEFN	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408KEHM	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell
HX6408KEHN	文件：167.39 Kbytes Page：11 Pages	512kx8STATICRAM The512Kx8RadiationHardenedStaticRAMisahighperformance524,288wordx8-bitstaticrandomaccessmemorywithoptionalindustry-standardfunctionality.ItisfabricatedwithHoneywell’sradiationhardenedSiliconOnInsulator(SOI)technology,andisdesignedforuseinlowvoltagesystem	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韋爾霍尼韋爾國際	Honeywell

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產品屬性

產品編號：
FXL6408UMX
制造商：
onsemi
類別：
集成電路（IC） > I/O 擴展器
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
I/O 數(shù)：
8
接口：
I2C
中斷輸出：
是
特性：
POR
輸出類型：
開路漏極
電流 - 灌/拉輸出：
6mA
電壓 - 供電：
1.65V ~ 4V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
16-UFQFN
供應商器件封裝：
16-UMLP（1.8x2.6）
描述：
IC GPIO EXPANDER I2C 8B 16-UMLP

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	FXL6408UMX	onsemi	24+	16-UFQFN	25000	in stock接口IC-原裝正品	詢價
深圳市金芯陽科技有限公司	FXL6408UMX	FSC	15+	原廠原裝	5000	進口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市瑞卓芯科技有限公司	FXL6408UMX	ON/安森美	22+	UMLP-16	35000	原裝正品	詢價
深圳市納睿斯電子科技有限公司	FXL6408UMX	ON			20000	原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	FXL6408UMX	ON(安森美)	2023+	QFN-16	4550	全新原裝正品	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FXL6408UMX	ON/安森美	23+	UQFN-16	39048	原廠可訂貨,技術支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	FXL6408UMX	ON/安森美	23+	UQFN-16	43316	正規(guī)渠道,免費送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價
深圳市芯球通科技有限公司	FXL6408UMX	ON(安森美)	23+	QFN-16	12234	公司只做原裝正品,假一賠十	詢價
柒號芯城電子商務(深圳)有限公司	FXL6408UMX	ON	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
深圳市天芯威科技有限公司	FXL6408UMX	ON(安森美)	23+		25900	新到現(xiàn)貨,只有原裝	詢價

更多FXL6408UMX供應商更新時間2024-12-26 18:53:00

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