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FZ1200R12HE4P 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

FZ1200R12HE4P參考圖片

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  • 廠家型號：

    FZ1200R12HE4P

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    909

  • 產(chǎn)品封裝：

    AG-IHMB130-2

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時間：

    2024-12-27 23:00:00

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原廠料號：FZ1200R12HE4P品牌：Infineon(英飛凌)

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FZ1200R12HE4P是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝AG-IHMB130-2/模塊的FZ1200R12HE4P晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    FZ1200R12HE4P

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    584.89 kb

  • 資料說明：

    IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FZ1200R12HE4PHPSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    IHM-B

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    單開關(guān)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，1200A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 1825A

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳小姐

  • 手機：

    13554797626

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層

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