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FZ600R12KE3S_INFINEON/英飛凌_IGBT 晶體管 1200V 600A SINGLE廣霖泰科技

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  • 廠家型號(hào)：

    FZ600R12KE3S

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    60000

  • 產(chǎn)品封裝：

    600A/1200V/IGBT/1U

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-12 11:08:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FZ600R12KE3S品牌：INFINEON

只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨原盒原標(biāo)，力挺實(shí)單 價(jià)格美過西施 歡迎詢價(jià)

  • 芯片型號(hào)：

    FZ600R12KE3S

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大小：

    201.5 kb

  • 資料說明：

    HighSpeed 2-Technology

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FZ600R12KE3S

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 1200V 600A SINGLE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市廣霖泰科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝功名

  • 手機(jī)：

    18126108519

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18126108519

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道馬安堂社區(qū)環(huán)城南路5號(hào)坂田國(guó)際中心C棟四層409

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