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FZT849分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

FZT849
廠商型號

FZT849

參數(shù)屬性

FZT849 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 7A SOT223-3

功能描述

NPN Silicon Planar High Current (High Performance) Transistor

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

39.09 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

KEXIN科信電子

中文名稱

廣東科信實業(yè)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-12 14:08:00

FZT849規(guī)格書詳情

Features

● Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)36mΩ at 5A.

● 7 Amp continuous collector current (20 Amp peak).

● Very low saturation voltages.

● Excellent gain charateristics specified upto 20 Amp.

● Ptot = 3 Watts.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FZT849TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    350mV @ 300mA,6.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 7A SOT223-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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