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FZT849	文件：60.52 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36m?at5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT849	文件：39.09 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Planar High Current (High Performance) Transistor Features ●Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A. ●7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak). ●Verylowsaturationvoltages. ●Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp. ●Ptot=3Watts.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FZT849	文件：72.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36m?at5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT849_15	文件：762.12 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FZT849_15	文件：72.59 Kbytes Page：3 Pages	ELECTRICAL CHARACTERISTICS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT849_16	文件：792.72 Kbytes Page：7 Pages	30V NPN MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT849TA	文件：72.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FZT849TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA 類別：分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 30V 7A SOT223-3	PAM Diodes Incorporated	PAM
FZT849TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA 類別：分立半導體產品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 30V 7A SOT223-3	PAM Diodes Incorporated	PAM
INA849	文件：1.94382 Mbytes Page：26 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：1.46741 Mbytes Page：28 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.17466 Mbytes Page：33 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features ?Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor ?Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping ?Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) ?Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) ?Lowinputbiascurrent:5nA(typ) ?Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：2.07758 Mbytes Page：28 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypins –Outputcommon-modecontrol ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：3.38238 Mbytes Page：42 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol ?Faster	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849	文件：1.6695 Mbytes Page：24 Pages	PGA849Low-Noise,Wide-Bandwidth,PrecisionProgrammableGainInstrumentationAmplifier 1Features ?Differentialtosingle-endedconversion ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains –Highslewrate:35V/μs –Settlingtime: 500nsto0.01	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA849DGKR	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
INA849DGKR	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/??z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI

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詳細參數

型號：
FZT849
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
TRANSISTOR NPN SOT-223
功能描述：
TRANSISTOR, NPN, SOT-223
功能描述：
HIGH GAIN TRANSISTOR, NPN, 30V; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
30V; Transition Frequency Typ
ft：
100MHz; Power Dissipation
Pd：
3W; DC Collector
Current：
7A; DC Current Gain
hFE：
200; No. of
Pins：
4 ;RoHS
Compliant：
Yes

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FZT849	DIODES(美臺)	23+	SOT-223	3022	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	FZT849	DIODES/美臺	23+	SOT223	360000	專業(yè)供應MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	FZT849	DIODES	23+	SOT-223	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市一線半導體有限公司	FZT849	ZETEX	24+	SOT-223	32200	新進庫存/原裝	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	FZT849	KEXIN	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	FZT849	ZETZX	2020+	SOT-223	16800	絕對原裝進口現貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
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深圳市賽美科科技有限公司	FZT849	ZETEX		SOT-223	16000	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價

更多FZT849供應商更新時間2024-12-24 15:08:00

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