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FZT853分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

FZT853
廠商型號

FZT853

參數(shù)屬性

FZT853 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 6A SOT223-3

功能描述

NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

53.38 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Zetex Semiconductors
企業(yè)簡稱

Zetex

中文名稱

Zetex Semiconductors官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-5 11:32:00

FZT853規(guī)格書詳情

FEATURES

* Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 44m? at 5A

* 6 Amps continuous current, up to 20 Amps peak current

* Very low saturation voltages

* Excellent hFE characteristics specified up to 10 Amps

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FZT853TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    340mV @ 500mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    130MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 6A SOT223-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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