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G12P10TE

Marking：G12P10；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG12P10TEusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

HY12P10D

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

華羿微電華羿微電子股份有限公司

KSM12P10

100VP-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMD12P10

100VP-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMU12P10

100VP-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MCU12P10

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MTM12P10

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTM12P10

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTM12P10

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTM12P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多G12P10TE供應(yīng)商 更新時間2025-3-23 11:06:00

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