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HGTG15N120C3

35A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs

Description TheHGTG15N120C3,HGTP15N120C3,HGT1S15N120C3andHGT1S15N120C3SareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartrans

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Intersil Corporation

HGTG15N120C3D

35A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

Description TheHGTG15N120C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvaries

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HGTP15N120C3

35A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs

Description TheHGTG15N120C3,HGTP15N120C3,HGT1S15N120C3andHGT1S15N120C3SareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartrans

Intersil

Intersil Corporation

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更多G15N120C3D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 9:36:00

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