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G170P06M

Marking：G170P06；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG170P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

G170P06S

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG170P06Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半導(dǎo)體

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更多G170P06M供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-4 11:06:00

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