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HE2955	文件：95.61 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR GENERALPURPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS DCCURRENTGAINSPECIFIEDTO10AMPERES	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
HJ2955	文件：37.04 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHJ2955isdesignedforgeneralpurposeofamplifierandswitchingapplications.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HMJE2955T	文件：38.44 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMJE2955Tisdesignedforgeneralpurposeofamplifierandswitchingapplications. AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C) ?MaximumTemperatures StorageTemperature............................................................................................-55~+150°C	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
K2955M	文件：82.25 Kbytes Page：6 Pages	IFFilterforIntercarrierApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
K2955M	文件：90.16 Kbytes Page：5 Pages	HIGHRELIABILITYFORLOWCOST FEATURES -HIGHRELIABILITYFORLOWCOST -WIDEFREQUENCYRANGE -EXCELLENTATTENUATIONBEHAVIOUR	PETERMANN PETERMANN-TECHNIK	PETERMANN
KI2955DS	文件：2.18606 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KI2955DV	文件：1.91097 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KSE2955	文件：38.33 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeandSwitchingApplications GeneralPurposeandSwitchingApplications ?DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A ?HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSE2955T	文件：38.33 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeandSwitchingApplications GeneralPurposeandSwitchingApplications ?DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A ?HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSH2955	文件：49.56 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) ?ElectricallySimilartoPopularKSE2955T ?DCCurrentGainSpecifiedto10A ?HighCurrentGain-	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSH2955	文件：55.05 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSH2955	文件：335.78 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?HighDCcurrentgain ?Leadformedforsurfacemountapplications(NOsuffix) ?Straightlead(IPAK,“－I”suffix) ?DPAKforsurfacemountapplications ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Gen	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KSH2955	文件：277.98 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.1V(Max)@IC=-4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KSH2955	文件：297.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-1.1V(Max)@IC=-4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KSH2955TF	文件：55.05 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSMT2955P	文件：601.77 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KTB2955	文件：267.28 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(HIGHPOWERAMPLIFIER) HIGHPOWERAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES ?ComplementarytoKTD3055. ?Recommendedfor30W?35WAudioFrequency AmplifierOutputStage.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTB2955	文件：152.13 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ?ComplementtoTypeKTD3055 APPLICATIONS ?Highpoweramplifierapplications ?Recommendedfor30~35Waudiofrequencyamplifieroutputstageapplication.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KXF2955	文件：2.13478 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KZT2955	文件：39.04 Kbytes Page：1 Pages	2.0WSurfaceMountComplementaryPNPSiliconPowerTransistor Features ●Highcurrent(max.6A). ●Lowvoltage(max.60V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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更多G2955供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 17:35:00

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