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G30M65DF2

Low thermal resistance

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意法半導體意法半導體集團

STGB30M65DF2

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGF30M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alow-lossinaTO-220FPpackage

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGHU30M65DF2AG

Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,30Alow-lossMseriesIGBTinanHU3PAKpackage

Features ?AEC-Q101qualified ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?6μsofminimumshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=30A ?Tightparameterdistribution ?Saferparalleling ?Lowthermalresistance ?Softandveryfast-recoveryantiparalleldiode ?Exc

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意法半導體意法半導體集團

STGP30M65DF2

TrenchgateField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STGP30M65DF2

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGW30M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGWA30M65DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss

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更多G30M65DF2供應商 更新時間2025-2-28 18:26:00