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STGP30M65DF2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP30M65DF2
廠商型號

STGP30M65DF2

參數(shù)屬性

STGP30M65DF2 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 30A TO-220AB

功能描述

Trench gate Field-Stop IGBT

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

372.21 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-3 23:00:00

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STGP30M65DF2規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A

·High Current Capability

·High Input Impedance

·Fast Switching

APPLICATIONS

·Synchronous Rectification in SMPS

·Automotive Chargers

·UPS,PFC

·High Voltage Auxiliaries

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGP30M65DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    300μJ(開),960μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    31.6ns/115ns

  • 測試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 650V 30A TO-220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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