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STGP19NC60H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP19NC60H
廠商型號

STGP19NC60H

參數(shù)屬性

STGP19NC60H 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A 130W TO220

功能描述

19 A - 600 V - very fast IGBT
IGBT 600V 40A 130W TO220

絲印標識

GP19NC60H

封裝外殼

TO-220 / TO-220-3

文件大小

663.63 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 11:12:00

STGP19NC60H規(guī)格書詳情

STGP19NC60H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGP19NC60H晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH?

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior.

Features

■ Low on-voltage drop (VCE(sat))

■ High frequency operation

Applications

■ High frequency motor drives

■ SMPS and PFC in both hard switch and

resonant topologies

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGP19NC60H

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,12A

  • 開關(guān)能量:

    85μJ(開),189μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    25ns/97ns

  • 測試條件:

    390V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 130W TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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