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STGP10NC60KD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP10NC60KD
廠商型號

STGP10NC60KD

參數(shù)屬性

STGP10NC60KD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 65W TO220

功能描述

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT
IGBT 600V 20A 65W TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

379.54 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-9 23:00:00

STGP10NC60KD規(guī)格書詳情

STGP10NC60KD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGP10NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “K” identifies a family optimized for high frequency motor control applications with short circuit withstand capability.

■ Lower on voltage drop (Vcesat)

■ Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)

■ Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

■ Short circuit withstand time 10μs

Applications

■ High frequency motor controls

■ SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies

■ Motor drivers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGP10NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,5A

  • 開關(guān)能量:

    55μJ(開),85μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    17ns/72ns

  • 測試條件:

    390V,5A,10歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 65W TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法半導體)
23+
TO-220
942
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ST/意法
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ST/意法
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22+
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ST/意法半導體
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