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STGP10NC60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGP10NC60KD |
參數(shù)屬性 | STGP10NC60KD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 65W TO220 |
功能描述 | N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
526.13 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-4 10:34:00 |
人工找貨 | STGP10NC60KD價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGP10NC60KD規(guī)格書詳情
STGP10NC60KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGP10NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGP10NC60KD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,5A
- 開關(guān)能量:
55μJ(開),85μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
17ns/72ns
- 測試條件:
390V,5A,10歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
IGBT 600V 20A 65W TO220
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
21+ |
原廠原封 |
23480 |
詢價 | |||
ST(意法) |
24+ |
TO-220-3 |
32000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價出售,實單可談 |
詢價 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-2-3 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
TO-220-3 |
37048 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同 |
詢價 | ||
ST |
23+24 |
TO-220 |
59630 |
主營原裝MOS,二三級管,肖特基,功率場效應(yīng)管 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
強勢渠道訂貨 7-10天 |
詢價 | ||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
公司只做原裝,可來電咨詢 |
詢價 |