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STGP30H65F分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGP30H65F |
參數(shù)屬性 | STGP30H65F 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB |
功能描述 | Low thermal resistance |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
1.05669 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-12 23:00:00 |
STGP30H65F規(guī)格書詳情
STGP30H65F屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGP30H65F晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
STGP30H65F
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,30A
- 開關能量:
350μJ(開),400μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
50ns/160ns
- 測試條件:
400V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220
- 描述:
IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導體) |
23+ |
TO220 |
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ST/意法 |
22+ |
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