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STGP30H65F

Low thermal resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP30H65F

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGFW30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT30H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGP30H65F

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    350μJ（開），400μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    50ns/160ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 650V 60A 260W TO-220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STMicroelectronics
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3629
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83268897鄒小姐
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更多STGP30H65F供應(yīng)商 更新時間2025-1-12 14:15:00

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