首頁(yè) >STGFW30H65FB>規(guī)格書列表
零件編號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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STGFW30H65FB | Marking:GFW30H65FB;Package:TO-3PF;Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
STGFW30H65FB | Package:TO-3PFM,SC-93-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 650V 60A 58W TO3PF | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
Lowthermalresistance | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,30Ahighspeed | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGFW30H65FB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
151μJ(開),293μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
37ns/146ns
- 測(cè)試條件:
400V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3PFM,SC-93-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3PF-3
- 描述:
IGBT 650V 60A 58W TO3PF
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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STM |
1809+ |
TO-3P |
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NA |
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ST |
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TO-3PF |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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ST |
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TO3PF3 |
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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ST/意法 |
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TO-3PF |
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STMicroelectronics |
2022+ |
TO-3PF-3 |
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ST |
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原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
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原廠封裝 |
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