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STGW15H120F2

Marking:G15H120F2;Package:TO-247;Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.Thesedevicesarepartoftheimproved HseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofhighfrequency co

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW15H120F2

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA15H120F2

Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries1200V,15Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.Thesedevicesarepartoftheimproved HseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofhighfrequency co

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW15H120F2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    380μJ(開),370μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    23ns/111ns

  • 測試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
STMicroelectronics
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-247-3
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
詢價(jià)
更多STGW15H120F2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 10:12:00