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STGWT40H65FB

Marking：GWT40H65FB；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT40H65FB

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

GB40H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,40Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB40H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,40Ahighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGFW40H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,40Ahighspeed

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW40H65DFB

Trenchgatefield-stop650V,40AhighspeedHBseriesIGBT

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Highspeedswitchingseries ?Minimizedtailcurrent ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=40A ?Tightparameterdistribution ?Safeparalleling ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Lowthermalresistance

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW40H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,40Ahighspeed

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA40H65DFB

Highspeedswitchingseries

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWA40H65FB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,40Ahighspeed

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWT40H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    498mJ（開(kāi)），363mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    40ns/142ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，40A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多STGWT40H65FB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 14:15:00

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