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STGW40H65DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STGW40H65DFB |
| 參數(shù)屬性 | STGW40H65DFB 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 80A 283W TO-247 |
| 功能描述 | Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT |
| 絲印標(biāo)識(shí) | GW40H65DFB |
| 封裝外殼 | TO-247 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
503.29 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-15 16:23:00 |
STGW40H65DFB規(guī)格書(shū)詳情
STGW40H65DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW40H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
Features
? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
? High speed switching series
? Minimized tail current
? Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
? Tight parameter distribution
? Safe paralleling
? Positive VCE(sat) temperature coefficient
? Low thermal resistance
? Very fast soft recovery antiparallel diode
Applications
? Photovoltaic inverters
? High frequency converters
Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an
optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the
efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat)
temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling
operation.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGW40H65DFB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
- 開(kāi)關(guān)能量：
498μJ（開(kāi)），363μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
40ns/142ns
- 測(cè)試條件：
400V，40A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
- 描述：
IGBT 650V 80A 283W TO-247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
TO-247-3 |
15000 |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
TO247 |
6000 |
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詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
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22+ |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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