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STGW39NC60VD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGW39NC60VD
廠商型號(hào)

STGW39NC60VD
參數(shù)屬性

STGW39NC60VD 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 80A 250W TO247
功能描述

40 A - 600 V - very fast IGBT
IGBT 600V 80A 250W TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

391.02 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-8 10:35:00

STGW39NC60VD規(guī)格書(shū)詳情

STGW39NC60VD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW39NC60VD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW39NC60VD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    333μJ（開(kāi)），537μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    33ns/178ns

  • 測(cè)試條件：

    390V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 250W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
NA
240
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣(mài)中!
 詢價(jià)
PHOENIX
24+
SMD
50
C04-存儲(chǔ)器
 詢價(jià)
ST
24+
TO-247
10000
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
 詢價(jià)
ST
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-247-3
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
ST
22+
TO247
8700
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
ST
24+
TO-247
18000
原裝正品 有掛有貨 假一賠十
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-247-3
10000
十年沉淀唯有原裝
 詢價(jià)
ST/意法
23+
TO-247
6850
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十!
 詢價(jià)
ST
22+
TO-247
3650
原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!13246658303
 詢價(jià)

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