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STGW35NB60SD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW35NB60SD
廠商型號(hào)

STGW35NB60SD

參數(shù)屬性

STGW35NB60SD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 70A 200W TO247

功能描述

N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 70A 200W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

242.39 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-20 17:10:00

STGW35NB60SD規(guī)格書詳情

STGW35NB60SD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW35NB60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGW35NB60SD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    840μJ(開),7.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    92ns/1.1μs

  • 測(cè)試條件:

    480V,20A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 70A 200W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-247-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
TO-247-3
90000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
ST
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TO-247
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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ST
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-247-3
8860
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-247-3
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正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
24+
TO-247-3
7188
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持
詢價(jià)
ST
22+
TO-247
16900
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持!
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
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TO-247-3
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只有原裝,原裝,假一罰十
詢價(jià)
ST
24+
TO247
8866
詢價(jià)