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STGW30NC120HD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW30NC120HD
廠商型號

STGW30NC120HD

參數(shù)屬性

STGW30NC120HD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 60A 220W TO247

功能描述

N-channel 1200V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH TM IGBT
IGBT 1200V 60A 220W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

295.75 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-14 14:54:00

STGW30NC120HD規(guī)格書詳情

STGW30NC120HD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGW30NC120HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

Using the latest high voltage technology based on its patented strip layout, STMicroelectronics has

designed an advanced family of IGBTs, with outstanding performances. The suffix “H”

identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching

performances (reduced tfall) maintaining a low voltage drop.

Features

■ Low on-losses

■ Low on-voltage drop (Vcesat)

■ High current capability

■ High input impedance (voltage driven)

■ Low gate charge

■ Ideal for soft switching application

Type VCES VCE(sat)@25°C IC@100°C

STGW30NC120HD 1200V < 2.75V 30A

Application

■ Induction heating

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGW30NC120HD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,20A

  • 開關能量:

    1.66mJ(開),4.44mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    29ns/275ns

  • 測試條件:

    960V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 220W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法半導體
2023
TO-247-3
7000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單
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ST原裝
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