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STGW30N120KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW30N120KD
廠商型號(hào)

STGW30N120KD
參數(shù)屬性

STGW30N120KD 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247
功能描述

30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT
IGBT 1200V 60A 220W TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

359.23 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-3 15:03:00

STGW30N120KD規(guī)格書詳情

STGW30N120KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW30N120KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW30N120KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.85V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    2.4mJ（開），4.3mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    36ns/251ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 60A 220W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
2022+
TO-247
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價(jià)
ST
23+
TO2473
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST/意法
11+
TO247
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
STMicroelectronics
2022+
TO-247-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
ST/意法
2410+
TO-247
18000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-247
50000
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
10+
5000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
STM原廠目錄
24+
TO-247
28500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售
 詢價(jià)
STMicro.
23+
TO-247
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ST
22+
TO-247
16900
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持!
 詢價(jià)

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